[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E8-2] スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移に関する考察 –遷移臨界条件-

山口凜太郎，金剛弘卓，^○呂鴻飛，佐藤伸吾，大村泰久，中村和広 (関西大)

キーワード：絶縁膜破壊,抵抗変化メモリ