[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▼ [19p-E8-6] Analysis of Degradation Mechanism on Bottom Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Siloxane Passivation Layer

^○（M1）ChaiyananKulchaisit^1,2，YasuakiIshikawa^1,2，YoshihiroUeoka^1,2，BermundoJuanPaolo^1,2，MasahiroHorita^1,2，YukiharuUraoka^1,2 (奈良先端大¹，科学技術振興機構²)

キーワード：Siloxane Passivation,Thin Film Transistors,Amorphous InGaZnO