2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月19日(水) 13:15 〜 18:45 E8 (E202)

15:00 〜 15:15

[19p-E8-8] NiO抵抗変化素子の伝導特性と抵抗状態の差異の新たな解釈

岩田達哉,西佑介,篠倉弘樹,木本恒暢 (京大工)

キーワード:抵抗変化メモリ,酸化ニッケル,電気伝導