[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

[19p-F12-18] 固相エピタキシー法によるSi(111)基板上の極薄GeSn-pMOSFETs

^○前田辰郎¹，WipakornJevasuwan¹，服部浩之¹，内田紀行¹，三浦脩²，田中正俊²，JeanLocquet³，RubenLieten^3,4 (産総研¹，横国大²，KU Leuven³，IMEC⁴)

キーワード：GeSn,固相エピタキシー