2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.4 デバイス/集積化技術

[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月19日(水) 13:30 〜 18:45 F12 (F408)

18:00 〜 18:15

[19p-F12-18] 固相エピタキシー法によるSi(111)基板上の極薄GeSn-pMOSFETs

前田辰郎1,WipakornJevasuwan1,服部浩之1,内田紀行1,三浦脩2,田中正俊2,JeanLocquet3,RubenLieten3,4 (産総研1,横国大2,KU Leuven3,IMEC4)

キーワード:GeSn,固相エピタキシー