[19p-F12-1~20] 13.4 デバイス/集積化技術

[19p-F12-5] 浮遊ゲートを有する室温動作シリコン単電子トランジスタにおけるクーロンブロッケード振動のピーク位置制御

^○棚橋裕麻^1,2，鈴木龍太¹，更屋拓哉¹，平本俊郎¹ (東大生研¹，中大理工²)

キーワード：単電子トランジスタ,室温動作