[19p-F6-1~18] 8.4 プラズマエッチング

[19p-F6-10] プラズマチャージングダメージによるMOSFETランダムテレグラフノイズ(RTN)特性の変動

亀井政幸，^○江利口浩二，鷹尾祥典，斧高一 (京大院工)

キーワード：プラズマダメージ,ランダムテレグラフノイズ,MOSFET