[19p-F6-1~18] 8.4 プラズマエッチング

▲ [19p-F6-15] Damage-free AlGaN/GaN Recess-Gate Etching using Cl₂ Neutral Beam

^○HalubaiSekhar¹，久保田智広¹，岡田健^1,4，太田実雄³，藤岡洋^3,4，寒川誠二^1,2,4 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，東大生産研³，JST-CREST⁴)

キーワード：エッチングダメージ,中性粒子ビームエッチング,AlGaN/GaN