13:00 〜 13:15
[19p-F9-1] 固液界面近傍の熱応力が育成中Si単結晶の臨界v/G値に与える影響
キーワード：点欠陥,Si結晶育成,臨界(v/G)
講演情報
一般セッション(口頭講演)
15．結晶工学 » 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥
[19p-F9-1~17] 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥
2014年3月19日(水) 13:00 〜 17:45 F9 (F401)
一般セッション(口頭講演)
15．結晶工学 » 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥
2014年3月19日(水) 13:00 〜 17:45 F9 (F401)
13:00 〜 13:15
キーワード：点欠陥,Si結晶育成,臨界(v/G)