[19p-F9-1~17] 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥

[19p-F9-3] 無欠陥条件Si結晶成長中の熱応力起因ボイド形成と450 mmウェーハ検査

^○神山栄治¹，末岡浩治¹，荒木浩司²，泉妻宏治² (岡山県大¹，グローバルウェーハズ・ジャパン²)

キーワード：ボイド,シリコンウェーハ,検査