[19p-PG2-1~12] 13.2 絶縁膜技術

[19p-PG2-11] 容量―電圧特性から推定したhigh-k/InGaAs MOS キャパシタの酸化膜トラップ分布

^○竇春萌¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生¹，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研究機構¹，東工大総合理工学研究科²)

キーワード：oxide traps,high-k,III-V