[19p-PG2-1~12] 13.2 絶縁膜技術

[19p-PG2-7] 極薄AlOx層挿入によるHigh-k/Ge界面反応制御機構の解析

^○小川慎吾^1,2，川崎直彦¹，木村耕輔¹，田中亮平²，箕浦佑也²，細井卓治²，志村考功²，渡部平司² (TRC¹，阪大院工²)

キーワード：ゲルマニウム,STEM