[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-15] Ge-nMOSFET向けn⁺-Ge/n⁺-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減

^○守山佳彦^1,2，上牟田雄一¹，鎌田善己¹，池田圭司¹，竹内正太郎²，中村芳明²，酒井朗²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，阪大院基礎工²)

キーワード：ひずみGe,コンタクト抵抗,in-situ doping