[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-20] TFTオフリーク電流低減のためのオゾンラジカル処理の研究

^○平田達誠¹，黒木伸一郎¹，山野真幸¹，佐藤旦¹，小谷光司²，吉川公麿¹ (広島大ナノデバイス¹，東北大院工²)

キーワード：poly-Si,オゾンラジカル処理