[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-21] 水中レーザ結晶化によるpoly-GeSnの大粒径成長とデバイス応用

^○黒澤昌志^1,2，池上浩³，鎌田善己⁴，田岡紀之¹，中塚理¹，手塚勉⁴，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²，九大院シス情³，産総研GNC⁴)

キーワード：GeSn,レーザーアニール,laser annealing