[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-24] Ni/Sn の熱処理によるGe(100) 上へのエピタキシャルNiGe 形成

^○小池正浩，上牟田雄一，守山佳彦，鎌田善己，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：半導体,ゲルマニウム,ショットキー