[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-25] 二段階Pイオン注入による低コンタクト抵抗 (∼3×10^-8 Ωcm²) NiGe/n⁺Ge接合形成

^○小池正浩，上牟田雄一，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：半導体,ゲルマニウム,ショットキー