[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-26] W₂Cゲート電極によるLa-silicate MOSFETの移動度改善

^○（D）トクダレハンカマリ¹，細田修平¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整¹，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：La-silicate,tugsten carbide,mobility