[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-27] W2C電極導入によるLa-silicate/Si における平坦な界面の実現

^○細田修平¹，TuokedaerhanKamale¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア¹，東工大総理工²)

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