[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-28] 積層シリサイド化スパッタプロセスにより作成したNiシリサイドショットキーダイオードの評価

^○今村浩章¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：Niシリサイド,ショットキーダイオード,積層シリサイド化スパッタプロセス