[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-7] Study of Cotrolling initial profile of thin-film torsion-bars of vibrational IR sensor

^○（P）JonghyeonJeong¹，山崎辰也¹，熊谷慎也^1,3，山下一郎^2,3，浦岡行治^2,3，佐々木実^1,3 (豊田工大¹，奈良先端大²，科学技術振興機構³)

キーワード：IR sensor,torsion-bar,crystallization-induced tensile stress