2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:00 D8 (D215)

10:30 〜 10:45

△ [20a-D8-6] 超高次非線形誘電率顕微鏡法によるSiC-DMOSFETの空乏層の可視化

○茅根慎通1，中村孝2，長康雄1 (東北大通研1，ローム2)

キーワード：走査型非線形誘電率顕微鏡法,SNDM,空乏層