[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20a-D8-7] ATR-FTIR法を用いた熱処理によるLa2O3/SiC界面反応の解析

^○雷一鳴¹，宗清修¹，角嶋邦之¹，川那子高暢²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生¹，山川聡³，岩井洋¹，古橋壮之³，三浦成久³，名取研二¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，三菱電機³)

キーワード：SiC,La2O3,界面反応