2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[20a-D9-1~10] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月20日(木) 09:00 〜 11:45 D9 (D315)

09:15 〜 09:30

[20a-D9-2] Mg2Si-Siヘテロ接合トンネルFET特性の構造依存性

呉研1,長谷川明紀1,角嶋邦之2,渡辺孝信3,片岡好則2,西山彰2,杉井信之2,若林整2,筒井一夫1,名取研二1,岩井洋1 (東工大フロンティア研1,東工大総理工2,早大理工3)

キーワード:Tunneling FET,Semiconductor silicide