10:15 〜 10:30
[20a-D9-5] 次世代TCAD(i) 金属/4H-SiC(0001)界面のショットキーバリア高さの第一原理計算
キーワード：SiC,ショットキーバリア高さ,第一原理計算
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
[20a-D9-1~10] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
2014年3月20日(木) 09:00 〜 11:45 D9 (D315)
一般セッション(口頭講演)
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2014年3月20日(木) 09:00 〜 11:45 D9 (D315)
10:15 〜 10:30
キーワード：SiC,ショットキーバリア高さ,第一原理計算