[20a-D9-1~10] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[20a-D9-9] 3次元TCADによるMOSFETの狭チャネル効果の解析

^○小林慎一郎，玉城哲平，浜野明千宏，桑原匠史，池澤健夫，小池秀耀 (アドバンスソフト)

キーワード：TCAD,デバイスシミュレータ,MOSFET