[20a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

▲ [20a-E14-3] NOとF2を用いたSiケミカルドライエッチング中のF失活過程の解析(I)

^○田嶋聡美¹，林俊雄¹，石川健治¹，関根誠¹，佐々木実²，山川晃司³，堀勝¹ (名大院工¹，豊田工大²，片桐エンジニアリング³)

キーワード：衝突