09:30 〜 09:45
▲ [20a-F10-3] Improvement of High-Ns Electron Mobility in Ge n-MOSFETs with Atomically Flat GeO2/Ge interface
キーワード:Ge,MOSFETs,Mobility
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.5 Si-English Session
2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F10 (F406)
09:30 〜 09:45
キーワード:Ge,MOSFETs,Mobility