[20a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

[20a-F12-1] 高誘電率Al2O3ブロック絶縁膜を用いたチャージトラップ型FinFETフラッシュメモリの作製及び電気特性評価

^○柳永勛¹，生田部俊秀²，松川貴¹，遠藤和彦¹，大内真一¹，塚田順一¹，山内洋美¹，石川由紀¹，水林亘¹，森田行則¹，右田真司¹，太田裕之¹，知京豊裕²，昌原明植¹ (産総研¹，物材研²)

キーワード：Flash memory,FinFET,MANOS