[20a-PG1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-PG1-15] RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長

^○（M2）五十嵐健¹，折原操¹，八木修平¹，土方泰斗¹，窪谷茂幸²，片山竜二²，矢口裕之¹ (埼玉大院理工¹，東北大金研²)

キーワード：半導体,GaN