2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20p-D8-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 D8 (D215)

13:00 〜 13:15

[20p-D8-1] fmax>400GHzの高周波特性を有する高耐圧InP/InGaAs DHBT

○柏尾典秀，栗島賢二，井田実，松崎秀昭 (NTTフォトニクス研)

キーワード：ＨＢＴ