2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20p-D8-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 D8 (D215)

13:30 〜 13:45

[20p-D8-3] 表面活性化接合法により接合されたSiC基板上InP系HBTの電気的特性評価

○白鳥悠太1，柏尾典秀1，日暮栄治2，松崎秀昭1 (NTTフォトニクス研究所1，東大2)

キーワード：InP,HBT,表面活性化接合法