2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E13-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 E13 (E301)

13:30 〜 13:45

[20p-E13-3] 半極性(11\overline{2}2)GaN基板上InGaN単一量子井戸における面内発光分布の近接場光学顕微鏡による評価

尾崎拓也,西中淳一,金田昭男,船戸充,川上養一 (京大院工)

キーワード:InGaN,半極性,近接場光学顕微鏡