[20p-E13-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-E13-3] 半極性(11\overline{2}2)GaN基板上InGaN単一量子井戸における面内発光分布の近接場光学顕微鏡による評価

^○尾崎拓也，西中淳一，金田昭男，船戸充，川上養一 (京大院工)

キーワード：InGaN,半極性,近接場光学顕微鏡