2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[20p-E14-1~4] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月20日(木) 13:15 〜 14:15 E14 (E302)

13:30 〜 13:45

△ [20p-E14-2] NiGe/Ge接合特性における注入P原子の役割

○岡博史，箕浦佑也，細井卓治，志村考功，渡部平司 (阪大院工)

キーワード：NiGe/Ge,ショットキー障壁,低抵抗コンタクト