2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[20p-E14-1~4] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月20日(木) 13:15 〜 14:15 E14 (E302)

14:00 〜 14:15

[20p-E14-4] CVD法を用いた低抵抗Co薄膜の形成

原田和宏，小川有人，○芦原洋司，由上二郎 (日立国際電気)

キーワード：Co,CVD