一般セッション(口頭講演)

[13p-1F-1~2] 8.8 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演

2015年9月13日(日) 13:00 〜 14:30 1F (レセプションホール1)

座長:杤久保文嘉(首都大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:45

▲ [13p-1F-1] [Invited lecture of overseas researcher] Evolution of Electron Density and Temperature in the Afterglow of Low Pressure Argon Discharges

Fei-Xiang Liu¹, Zhi-Wen Cheng¹, 〇Yi-Kang Pu¹ (1.Tsinghua Univ.)

13:45 〜 14:30

▲ [13p-1F-2] [Invited lecture of overseas researcher] Integrated Approaches for Surface Chemistry Control in Plasma Processing

〇Peter L. G. Ventzek¹, H. Ueda², Y. Kobayashi², T. Iwao², K. Ishibashi², A. Ranjan³, M. Wang³, A. Suzuki², H. Higuchi², B. Lane¹, R. Upadhyay⁴, G.S. Hwang⁵, L. Raja⁵, A. Koshiishi⁶ (1.Tokyo Electron America Inc., 2.Tokyo Electron Ltd., 3.Tokyo Electron Tech. Center America, 4.Esgee Tech., 5.Univ. of Texas at Austin, 6.Tokyo Electron Miyagi Ltd.)

一般セッション(口頭講演)

[14a-1F-3~4] 8.8 プラズマエレクトロニクス分科内招待講演

2015年9月14日(月) 10:30 〜 11:30 1F (レセプションホール1)

座長:杤久保文嘉(首都大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:30 〜 11:00

[14a-1F-3] [プラズマエレクトロニクス分科内招待講演] 低温プラズマを用いるPM2.5・ガス状汚染物質対策

〇水野彰¹ (1.豊橋技術科学大学)

11:00 〜 11:30

[14a-1F-4] [プラズマエレクトロニクス分科内招待講演] プラズマプロセスの定量的な制御に向けて

〇辰巳哲也¹ (1.ソニー（株）デバイス＆マテリアル研究開発本部)

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