The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[13a-2Q-1~13] 6.4 Thin films and New materials

Sun. Sep 13, 2015 9:00 AM - 12:15 PM 2Q (231-1)

座長:白木 将(東北大)

9:30 AM - 9:45 AM

[13a-2Q-3] Transport properties of electric double layer transistors based on FeSe thin films

〇Yukihiro Ito1, Junichi Shiogai1, Tohshiki Mitsuhashi1, Tsutomu Nojima1, Atsushi Tsukazaki1,2 (1.IMR, Tohoku Univ, 2.JST-PRESTO)

Keywords:superconductivity

SrTiO3基板上のFeSe超薄膜は高い超伝導転移温度をもつことが光電子分光やトンネル分光の実験から知られている。本研究ではパルスレーザー堆積法を用いて作製されたFeSe薄膜を用いて電気二重層トランジスタ(EDLT)を作製し、超伝導特性の電界制御を試みた。講演では、FeSe薄膜の超伝導特性の膜厚依存性及び熱処理時間依存性と、FeSe EDLTにおける超伝導特性の電界効果について報告する。