[13a-2Q-1~13] 6.4 Thin films and New materials

△ [13a-2Q-4] Hall effect measurements of FeSe based electric double layer transistors

〇Junichi Shiogai¹, Yukihiro Ito¹, Toshiki Mitsuhashi¹, Tsutomu Nojima¹, Atsushi Tsukazaki^1,2 (1.IMR, Tohoku Univ., 2.JST-PRESTO)

Keywords:Iron based supercnoductivity,Electric double layer transitor

MBE法を用いて成長したNb:SrTiO3基板上のFeSe超薄膜において、Tc=109Kの超伝導転移が報告され、光電子分光の実験から、超薄膜FeSeはバルクと異なる電子構造を有しており、電子注入がTc向上に有効であると示唆されている。本研究では、PLD法で作製したFeSe薄膜から電気二重層トランジスタを作製することで、ゲート印加時のTc及びHall係数の膜厚依存性や基板依存性を評価し、電子注入の有効性について議論する。