The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[13a-2Q-1~13] 6.4 Thin films and New materials

Sun. Sep 13, 2015 9:00 AM - 12:15 PM 2Q (231-1)

座長:白木 将(東北大)

9:45 AM - 10:00 AM

[13a-2Q-4] Hall effect measurements of FeSe based electric double layer transistors

〇Junichi Shiogai1, Yukihiro Ito1, Toshiki Mitsuhashi1, Tsutomu Nojima1, Atsushi Tsukazaki1,2 (1.IMR, Tohoku Univ., 2.JST-PRESTO)

Keywords:Iron based supercnoductivity,Electric double layer transitor

MBE法を用いて成長したNb:SrTiO3基板上のFeSe超薄膜において、Tc=109Kの超伝導転移が報告され、光電子分光の実験から、超薄膜FeSeはバルクと異なる電子構造を有しており、電子注入がTc向上に有効であると示唆されている。本研究では、PLD法で作製したFeSe薄膜から電気二重層トランジスタを作製することで、ゲート印加時のTc及びHall係数の膜厚依存性や基板依存性を評価し、電子注入の有効性について議論する。