[13a-2Q-1~13] 6.4 薄膜新材料

△ [13a-2Q-4] FeSe薄膜電気二重層トランジスタにおけるHall効果測定

〇塩貝 純一¹、伊藤 恭太¹、三橋 駿貴¹、野島 勉¹、塚﨑 敦^1,2 (1.東北大金研、2.JSTさきがけ)

キーワード：鉄系超伝導、電気二重層トランジスタ

MBE法を用いて成長したNb:SrTiO3基板上のFeSe超薄膜において、Tc=109Kの超伝導転移が報告され、光電子分光の実験から、超薄膜FeSeはバルクと異なる電子構造を有しており、電子注入がTc向上に有効であると示唆されている。本研究では、PLD法で作製したFeSe薄膜から電気二重層トランジスタを作製することで、ゲート印加時のTc及びHall係数の膜厚依存性や基板依存性を評価し、電子注入の有効性について議論する。