[13a-2S-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[13a-2S-5] III-V on SiC基板を用いた光集積回路プラットフォームの提案

〇竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)

キーワード：光集積回路、III-V族半導体、シリコンカーバイド

III-V on SiC基板を用いた新しい光集積回路プラットフォームを提案した．熱伝導率が極めて高いSiC基板そのものを下部導波路クラッドとすることで，能動素子を高密度に集積可能なIII-V族半導体光集積回路が可能となる．数値解析により，SiC基板上に作製したInGaAsP細線導波路においても曲率半径7 μm程度でほぼベンド損失を無視できることが分かった．また，電力注入時の温度上昇はSiO₂/Si基板上と比べて，約1/30に抑制可能であることも分かった．