2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[13a-4C-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2015年9月13日(日) 09:00 〜 12:15 4C (432)

座長:渡邉 孝信(早大),右田 真司(産総研)

09:30 〜 09:45

[13a-4C-3] 低温Ar/N2プラズマ窒化法及びKr/O2プラズマ酸化法を用いたSiON/Si構造の特性評価

〇藤川 雄太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)

キーワード：窒化、酸化