[13a-4C-1~12] 13.3 Insulator technology

[13a-4C-4] Evaluation of hole trapping characteristics of MONOS structures using the constant current carrier injection method (Ⅱ)

〇(M2)Shin Tanaka¹, S. R. A. Ahmed², Kaihei Kato³, Kousaku Hukuyama³, Kousuke Ozaki³, Kiyoteru Kobayashi^1,2,3 (1.GRAD SCH Eng, Tokai Univ., 2.GRAD SCH S&T, Tokai Univ., 3.SCH Eng, Tokai Univ.)

Keywords:silicon nitride,hole trapping,nonvolatile memory

不揮発性メモリのセル構造として、近年、MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor)型に代表される電荷トラップメモリ方式が注目されている[1]。この方式ではSiN_X膜に内在する電荷トラップに電子または正孔を捕獲させて情報を記憶する。メモリセルが微細化されると１つのメモリセルに蓄えられるキャリヤ数が少なくなるため、電荷捕獲機構を正しく理解することが必要となる。本研究では、MONOS構造の電荷捕獲特性の評価方法として、定電流キャリヤ注入法を提案し、SiN_X膜の捕獲正孔密度と注入正孔密度の関係を調べた。