[13a-4C-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[13a-4C-4] 定電流キャリヤ注入法を用いたMONOS構造の正孔捕獲特性の評価（Ⅱ）

〇(M2)田中 伸¹、S. R. A. Ahmed²、加藤 海平³、福山 耕作³、尾﨑 航佑³、小林 清輝^1,2,3 (1.東海大院工、2.東海大院総、3.東海大工)

キーワード：シリコン窒化膜、正孔捕獲、不揮発性メモリ

不揮発性メモリのセル構造として、近年、MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor)型に代表される電荷トラップメモリ方式が注目されている[1]。この方式ではSiN_X膜に内在する電荷トラップに電子または正孔を捕獲させて情報を記憶する。メモリセルが微細化されると１つのメモリセルに蓄えられるキャリヤ数が少なくなるため、電荷捕獲機構を正しく理解することが必要となる。本研究では、MONOS構造の電荷捕獲特性の評価方法として、定電流キャリヤ注入法を提案し、SiN_X膜の捕獲正孔密度と注入正孔密度の関係を調べた。