2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[13a-4C-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2015年9月13日(日) 09:00 〜 12:15 4C (432)

座長:渡邉 孝信(早大),右田 真司(産総研)

10:15 〜 10:30

[13a-4C-6] 絶縁膜帯電とダイポールを考慮したALD-Al2O3膜伝導機構解析

〇平岩 篤1、齊藤 達也2、松村 大輔2、川原田 洋1,2 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工)

キーワード:Al2O3、帯電、電気伝導

Au電極を有するALD-Al2O3膜を加熱すると絶縁性が劣化し大気中にて経時的に回復すること、同伝導特性が絶縁膜帯電を考慮したFNトンネル過程に従うことを先に報告した。今回さらにAl2O3/SiO2界面ダイポールを考慮することにより、電極材料の異なる試料を含めより高精度に解析することを可能にした。また、界面ダイポール評価におけるゲート絶縁膜帯電評価の重要性を提起する。