[13p-1A-1~15] 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開

△ [13p-1A-9] WSe₂原子層の層数制御酸化

〇(PC)山本 真人¹、中払 周¹、上野 啓司²、塚越 一仁¹ (1.物材機構、2.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、layer-by-layer酸化、ホールドーピング

二硫化モリブデン(MoS₂)をはじめとする第6族遷移金属ダイカルコゲナイドの原子層は、スケーリングリミットが間近に迫るシリコンに代わる超薄膜半導体材料として期待されている。ダイカルコゲナイド原子層をポストシリコンデバイスとして実用化させるためには、シリコンの熱酸化プロセスのように、簡便かつ高品質に絶縁体・半導体界面を形成させることが重要である。本講演では、数原子層の二セレン化タングステン(WSe₂)にオゾンを比較的低温で曝露することで、原子レベルで均一で膜厚を1層から3層まで制御可能な表面酸化膜を成長させることに成功したので報告する。さらに、表面酸化膜との界面がWSe₂原子層の電気伝導特性に与える影響についても議論する。