[13p-1C-1~15] 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

[13p-1C-3] Evaluation of the electrical characteristics of thermal oxide film using a minimal laser heating furnace

〇kazushige sato¹, Haruki Toonoe¹, Takashi Chiba^1,3, Masao Terada^1,3, Shinichi Ikeda^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.Minimal Fab Development Association, 2.AIST, 3.Sakaguchi E.H VOC Corp)

Keywords:laser heating,minimal

ウェハ外周の低温になりやすい領域を補うようビーム形状の異なる2種類のレーザを重ね合わせて加熱できるレーザ加熱装置で成膜した熱酸化膜について、ウエハ全面にMOS容量とp-MOSトランジスタを作製・評価し、特に大きな問題点等なく良好な特性を得た。これより、レーザ加熱で成膜した熱酸化膜がデバイス作製プロセスへの適用が可能であることを確認した。