[13p-1E-1~17] 15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

△ [13p-1E-10] Precipitate Caused in Silicon Crystal by High-Temperature Prolonged Annealing in Nitrogen (Ⅳ)

〇Toru Muramatsu¹, Haruo Nakazawa¹, Masaaki Ogino¹, Hideaki Teranishi¹, Yoshikazu Takahashi¹, Hitoshi Habuka² (1.Fuji Electric, 2.YNU)

Keywords:Nitride Precipitate,FZ Wafer,Annealing

チョクラルスキー(CZ)法によるシリコン結晶を原料として浮遊帯域溶融(FZ)法により育成した結晶ウェハに、窒素雰囲気中で高温長時間の熱処理を試みた場合、窒素析出物が発生する。今回は、ウェハ中に存在する析出物の分布を評価した結果を報告する。