[13p-2H-1~21] 6.3 Oxide electronics

△ [13p-2H-3] Strong electron localization at the sub-surface Ti site on a rutile TiO₂(110) surface

〇Ryota Shimizu¹, Hideyuki Kamisaka², Katsuya Iwaya³, Takeo Ohsawa⁴, Susumu Shiraki¹, Tetsuya Hasegawa², Taro Hitosugi¹ (1.Tohoku Univ., 2.Univ. of Tokyo, 3.RIKEN, 4.NIMS)

Keywords:oxide electronics,scanning probe microscopy,wide-gap semiconductor

走査トンネル顕微鏡/分光法により，TiO₂(110)表面における欠陥種とその電子状態を調べ，余剰電子の強い局在化の要因を検証した．STM像においては3種類の欠陥が確認され，表面酸素欠損(V_O)と水酸基(OH)の他に，5配位Ti列上に新たな欠陥を見出した．この欠陥中心は再表面の原子サイトではなく，第2層目Ti_subサイトに相当する．Ti³⁺由来の不純物準位の局所状態密度マップでは，Ti_subサイト上でのみ余剰電子の強い局在の可視化に成功した．